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2024 IFWS“第三代半导体标准与检测研讨会”成功举办 2024-11-26 09:54
2024年11月19日,在第十届国际第三代半导体论坛(FWS)的契机下,第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)在苏州国际博览中心成功组织并举办了“第三代半导体标准与检测研讨会”。此次会议旨在探讨第三代半导体标准与检测技术的最新进展,推动标准化与检测技术的协同发展。此次研讨会得到了业界和相关领域专家的积极响应和支持,不仅汇聚了业界精英与相关领域顶尖专家,更吸引了近两百名参会者共襄盛举,共同探索第三代半导体标准与检测技术的最新进展,携手推动产业标准化与检测技术的协同发展。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、联盟标准化委员会主任杨富华致辞,工业和信息化部电子第五研究所陈媛研究员和第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长兼标准化委员会秘书长高伟博士共同主持了会议。

杨富华 第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、联盟标准化委员会主任
杨富华秘书长发表了热情洋溢的致辞,强调了第三代半导体在新能源、信息技术等领域的重要性,以及标准化和检测技术对于推动产业升级的关键作用。

陈 媛 研究员 工业和信息化部电子第五研究所

高 伟 第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长、联盟标准化委员会秘书长
本次研讨会亮点纷呈,多位行业权威专家围绕第三代半导体的技术前沿和标准体系进行了深入交流与探讨。
工业和信息化部电子第五研究所研究员雷志锋分享了“面向新能源应用的电力电子器件大气中子单粒子烧毁风险评估技术”。
南京大学副研究员周峰分享了“面向宽禁带半导体GaN应用的紫外脉冲激光辐照实验技术”。
东南大学博士后李胜分享了“GaN HEMT功率器件寿命预测SPICE模型研究”。
广东工业大学教授贺致远分享了“动态应力下GaN功率器件阈值电压不稳定性机理研究”。
重庆大学教授曾正分享了“SiC功率器件开关动态测试方法十议:T/CASAS 033-2024标准解读”。
清纯半导体(宁波)有限公司研发总监孙博韬分享了“基于SiC MOSFET可靠性标准的产品验证与失效机制”。
忱芯科技(上海)有限公司总经理毛赛君分享了“SiC MOSFET标准体系符合性测试设备挑战与整体解决方案”。
深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽则分享了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”。
 
会议期间与会专家进行了热烈的对话与交流,就第三代半导体技术发展趋势、标准制定与修订、检测技术创新等议题展开了深入探讨。


展望未来,CASAS将密切关注第三代半导体技术的发展动态和应用趋势,定期发布相关标准和实施指南,为产业的持续健康发展提供有力支撑。同时,CASAS也将进一步加强与国内外相关机构的交流与合作,共同推动第三代半导体产业的繁荣与进步。


【报告人简介】

雷志锋 研究员 工业和信息化部电子第五研究所
工业和信息化部电子第五研究所研究员,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 可靠性试验研究室主任,辐射效应团队技术总师,长期从事电子产品可靠性及辐射环境效应基础和工程技术应用研究工作。作为项目负责人先后承担 “核高基”国家重大专项、国家自然科学基金、预研、共性技术等国家及省部级课题20余项,参与百余项国产器件的评估和检测,参与多个国家重大工程中的可靠性工程技术工作。IEEE TNS、IEEE TED、物理学报等期刊审稿人,先后发表SCI/EI论文60余篇,申请国家发明专利20项,获省部级奖3项。
周 峰 副研究员 南京大学
南京大学电子科学与工程学院副研究员、博士,从事第三代宽禁带半导体材料、器件与电路应用研究,主持国家科技重大专项课题、国家自然科学基金、江苏省重点研发计划项目课题等,第一/通信(含共同)作者发表论文30余篇,包括Nature Communications, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans Power Electron., IEEE Trans. Electron Dev., IEEE IEDM/ISPSD等领域内权威期刊或会议,担任多个期刊审稿人,申请发明专利30余项,包括中国/美国/日本专利。
李 胜 博士后 东南大学
东南大学至善博士后,香港科技大学访问学者。博士毕业于东南大学微电子学与固体电子学专业,获江苏省优秀博士学位论文、中国电子学会优秀博士学位论文、东南大学优秀博士学位论文。长期从事氮化镓功率半导体器件、可靠性及模型的研究工作,发表IEEE TIE、IEEE TPEL、IEEE TED、IEEE IEDM等权威期刊及国际会议论文30余篇;获美国专利1项、中国发明专利15项,日内瓦国际发明展银奖1项,出版专著1部;主持国家自然科学基金、中国博士后科学基金等项目5项,作为技术骨干参与国家重点研发计划、国家自然科学基金面上项目、江苏省杰青等项目多项。获江苏省“卓越博士后”、江苏省产业技术研究院“集萃博士后”支持。
贺致远 教授 广东工业大学
工学博士、教授、硕士生导师,担任IEC TC47/SC47E/WG3(功率器件)国内技术对口工作组专家,第三代半导体联盟GaN功率器件标准化工作组专家。主要从事硅基及宽禁带半导体功率器件的结构仿真设计、制备工艺开发、封装及可靠性评估、检测设备开发等研究;主持了国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金青年基金、国防基础科研计划、广东省自然科学基金等7项国家级、省部级项目。目前已发表SCI论文30余篇,授权发明专利10余项,编制标准2项。
曾 正 教授 重庆大学
教授/博导,国家级高层次青年人才,长期从事碳化硅功率器件的封装测试研究。2014年博士毕业于浙江大学,2018-2019年在新加坡南洋理工大学从事博士后研究,主持国家级项目6项、其他项目14项,出版学术专著2部,担任6个学术组织的理事/委员,牵头/参与制定国家标准1项、团体标准3项,入选第三代半导体产业技术创新战略联盟“卓越创新青年”、爱思唯尔中国高被引学者、斯坦福全球前2%顶尖科学家、重庆市青年拔尖人才等荣誉称号,获得教育部自然科学一等奖等科技奖励。
孙博韬 研发总监 清纯半导体(宁波)有限公司
博士,清纯半导体研发总监,高级工程师,曾入选2020年北京市科技新星计划。在Si基、SiC基功率器件开发,微电子工艺及可靠性研究在功率器件研发方面具有15年以上经验,曾主持装发项目多项,参与重点研发计划、01、02重大专项等项目近40项,申请专利超过40件,其中第一发明人授权专利16项,SCI论文多篇,多项成果列入北京市高新技术成果转化项目。
毛赛君 总经理 忱芯科技(上海)有限公司
博士,忱芯科技(上海)有限公司创始人,入选上海市浦江人才计划,IEEE高级会员,获教育部国家留学基金委颁发的“国家优秀留学生奖学金”,曾担任复旦大学研究员,博士研究生导师,曾在GE全球研究中心工作10余年,获“GE个人技术卓越成就奖”等10余项GE重大奖项,研究领域主要集中在碳化硅功率半导体器件精准测试与特性表征与高频电力电子系统集成与产业化,发表国际、国内论文60余篇,获得60余项国际、国内发明专利与申请。
何光泽 失效分析首席专家 深圳平湖实验室
何光泽于1997获得台湾中央大学电机系学士与电机所固态组硕士学位,工作初期在茂硅与联电负责良率提升与失效分析的事务,在样品化学处理、缺陷定位与电镜观察上有丰富的经验。2015进入第三方分析检测实验室闳康科技,并于后期担任失效分析处长一职,总管两岸失效分析与静电测试之业务,在闳康科技期间,发表了5篇国际论文,同时也担任台湾静电学会议程委员与台湾电路板协会半导体构装委员会委员。何光泽于2024年加入深圳平湖实验室担任失效分析首席专家,负责分析检测中心的管理运作。
 

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