第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长高伟博士主持了本场分会。整场会议既有前沿技术解读，也有市场趋势判断，更有落地实践分享，为功率电子领域实现“突围”提供了丰富的思路与路径。

解 楠  工业和信息化部赛迪研究院集成电路研究所化合物半导体研究室主任

工业和信息化部赛迪研究院集成电路研究所化合物半导体研究室主任解楠分分享了《氮化铝超宽禁带材料产业化情况及宽禁带技术演进趋势》的报告。报告中提到，全球半导体产业正呈现三个显著特点：一是人工智能快速发展进一步加速集成电路多维度“分化”，包括工艺制程代际的分化、系统集成能力的分化、创新架构的分化已经配套能力的分化。二是集成电路技术发展面临“存储墙”、“面积墙”、“功耗墙”和“功能墙”四重制约。三是先进工艺、先进封装、先进材料和架构创新呈现互补、替代态势。因此，后摩尔时代对技术的需求和丰富度更高，宽禁带半导体材料将会大有可为。宽禁带半导体材料是指禁带宽度明显大于硅（1.1eV） 和砷化镓（1.4eV）的材料体系，其禁带宽度一般介于2.0 eV至6.3 eV之间，包括：碳化硅（SiC）、Ⅲ族氮化物（如：氮化镓GaN、氮化铝AlN等）、宽禁带氧化物（如氧化锌ZnO、氧化镓Ga2O3）和部分钙钛矿材料、金刚石等材料。从整体上看，这类材料通常为原子晶体，性质极为稳定，具有击穿电场高、 热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。目前，碳化硅和氮化镓在电力电子领域产业化速度显著，氧化镓刚刚起步，氮化铝由深紫外向电力电子领域拓展，金刚石在量子领域应用快速增长。AlN作为超宽禁带半导体材料体系的典型代表，是实现高性能深紫外光电器件、高频微波器件、高功率密度电子器件的关键材料，在军事、国防、航空航天及民用领域具有极强的战略和应用价值。自2011年起，美国在《瓦森纳协议》中明确：各种尺寸的AlN单晶及外延材料对华禁运，高质量AlN成为掣肘我国技术和产业发展的关键要素。

李隆正  上海瀚薪科技有限公司总经理

上海瀚薪科技有限公司总经理李隆正带来了《第三代半导体器件在新能源汽车领域的应用进展及发展趋势》的报告分享。他表示，目前，SiC器件主要应用于新能源汽车的主驱逆变器（将电池直流电转换为驱动电机的交流电）、车载充电机（OBC） 以及 DC/DC转换器中，第三代半导体在新能源汽车上的应用已超越概念阶段，进入大规模量产装车时期。李总指出所有努力的最终目标是通过碳化硅技术的普及，使得最终的终端系统和产品实现全方位的性能提升，从而赋能各行各业的数字化转型与升级。

倪炜江  安徽芯塔电子科技有限公司总裁

碳化硅器件市场正迎来高速增长与深度调整并行的关键阶段。在新能源汽车800V高压平台加速普及的驱动下，碳化硅凭借其高频、高效、耐高压等优势持续替代传统IGBT，预计到2029年，国内碳化硅功率电子市场规模将突破460亿元，年复合增长率达21%。技术层面，车规级模块封装正从当前主流的T-PAK、HPD向塑封半桥、eMPack等专用形态演进，以追求更低寄生电感和更高功率密度。然而，行业也面临上游材料价格持续下行、市场竞争白热化的挑战，部分产品已陷入负毛利，整体进入淘汰整合期。在此背景下，国内碳化硅企业如何“破卷出新”，成为所有从业者的最大考题。

刘兴昉  中国科学院半导体研究所研究员、江苏汉印机电科技股份有限公司项目负责人