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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》标准草案（线上）讨论会顺利召开 2021-06-18 14:11
《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》标准草案（线上）讨论会顺利召开
2021年6月10日下午，联盟团体标准T/CASA 015-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》标准草案线上讨论会顺利召开。该标准由工业和信息化部电子第五研究所牵头起草，联合提案单位有西安交通大学、南方电网科学研究院有限公司、比亚迪半导体有限公司、全球能源互联网研究院、中国电子科技集团第五十五研究所、深圳第三代半导体研究院等单位。来自佛山市国星光电股份有限公司、大唐移动通信设备有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、广州广电计量检测股份有限公司、派恩杰半导体（杭州）有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、江苏宏微科技股份有限公司等单位的专家代表参与线上讨论。
本次会议主要针对T/CASA 015-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论，并提出了诸多修改意见。
本次会议主要针对T/CASA 015-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论，并提出了诸多修改意见。
随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC器件的功率循环试验及可靠性评估，对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力，支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压VGS(th)漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本标准给出了适用于SiC MOSFET器件的功率循环试验方法。
