为了更好地开展标准化工作，发挥标准化在生产、科研、管理、监督及检验的作用，充分调动各方面专家积极参与标准化活动，2017年，经联盟会员大会批准成立第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会，本标委会是宽禁带半导体领域的全国性标准化的技术工作组织。
标委会的主要工作任务是：在国家有关方针政策的指导下，向有关部门提出宽禁带半导体标准化工作的方针、政策和技术措施的建议；按照制修订标准的原则，提出本领域制修订标准的建议；在“公开、透明、协商一致”的原则下，服务于产业市场发展，打造相关利益方的实质性参与、共同获益的平台；组织开展本领域内团体标准的制修订工作，并对已发布标准开展宣贯、培训、定期复审和修订工作；为企业标准化工作提供咨询和服务。
      2018年以来，联盟标委会批准发布了“碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范”、“p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片”、“4H-SiC衬底及外延层缺陷 术语”、“4H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱”、“半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法”、“电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范”等二十余项团体标准，均在实际工作中得到良好应用并获得很好的实施效果。
      联盟标委会将紧跟国家标准化改革的主要方向，围绕行业急需标准开展工作，为会员提供更加优质的标准化服务。标委会全体委员将在新的标准体系框架下，以服务科技产业为目标，同心协力，团结奋斗，积极开展与行业有关的标准化活动，组织申报各项标准（国际标准、国家标准、行业标准、团体标准），承担并开展各项标准的制修订工作。

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