标准 > CASAS标准_第三代半导体产业技术创新战略联盟

CASAS标准

联盟标准列表

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序号	联盟标准号	标准名称	文件	状态
1	T/CASAS 001—2018	碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范	点击查看	已发布
2	T/CASAS 002—2021	宽禁带半导体术语	点击查看	已发布
3	T/CASAS 003—2018	p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片	点击查看	已发布
4	T/CASAS 004.1—2018	4H-SiC衬底及外延层缺陷术语	点击查看	已发布
5	T/CASAS 004.2—2018	4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱	点击查看	已发布
6	T/CASAS 005—2022	用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法	点击查看	已发布
7	T/CASAS 006—2020	碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范	点击查看	已发布
8	T/CASAS 007—2020	电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范	点击查看	已发布
9	T/CASAS 008—2019	地铁再生制动能量回收系统技术规范	点击查看	已发布
10	T/CASAS 009—2019	半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法	点击查看	已发布
11	T/CASAS 010—2019	GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法	点击查看	已发布
12	T/CASAS 011.1—2021	车规级半导体功率器件测试认证规范	点击查看	已发布
13	T/CASAS 011.2—2021	车规级半导体功率模块测试认证规范	点击查看	已发布
14	T/CASAS 011.3—2021	车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范	点击查看	已发布
15	T/CASAS 012—202X	电动汽车用碳化硅（SiC）电机控制器评测规范	/	制定中
16	T/CASAS 013—2021	碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法	点击查看	已发布
17	T/CASAS 014—2021	碳化硅衬底基平面弯曲的测定高分辨X射线衍射法	点击查看	已发布
18	T/CASAS 015—2022	碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法	点击查看	已发布
19	T/CASAS 016—2022	碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法	点击查看	已发布
20	T/CASAS 017—2021	第三代半导体微纳米金属烧结技术术语	点击查看	已发布
21	T/CASAS 018—2021	微纳米金属烧结件剪切强度测试方法	点击查看	已发布
22	T/CASAS 019—2021	微纳米金属烧结体电阻率试验方法四探针法	点击查看	已发布
23	T/CASAS 020—2021	微纳米金属烧结体热导率试验方法闪光法	点击查看	已发布
24	T/CASAS 021—202X	SiC MOSFET阈值电压测试方法	/	制定中
25	T/CASAS 022—2022	三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应管通用技术规范	点击查看	已发布
26	T/CASAS 023—202X	宽禁带半导体封装用烧结银膏	撤销	撤销
27	T/CASAS 024—202X	碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法	/	制定中
28	T/CASAS 025—2023	8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸	点击查看	已发布
29	T/CASAS 026—2023	碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法	点击查看	已发布
30	T/CASAS 027—2023	射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法	点击查看	已发布
31	T/CASAS 028—2023	Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法	点击查看	已发布
32	T/CASAS 029—2023	Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法	点击查看	已发布
33	T/CASAS 030—2023	GaN毫米波前端芯片测试方法	点击查看	已发布
34	T/CASAS 031—2023	面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法	点击查看	已发布
35	T/CASAS 032—2023	碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法	点击查看	已发布
36	T/CASAS 033—202X	SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法	/	制定中
37	T/CASAS 034—202X	用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法	/	制定中
38	T/CASAS 035—202X	用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法	/	制定中
39	T/CASAS 036—202X	碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测试方法	/	制定中
40	T/CASAS 037—202X	SiC MOSFET栅极电荷测试方法	/	制定中
41	T/CASAS 038—202X	SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法	/	制定中
42	T/CASAS 039—202X	SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法	/	制定中
43	T/CASAS 040—202X	SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法	/	制定中
44	T/CASAS 041—202X	基于无功负载的车规级功率模块变频测试规范	/	制定中
45	T/CASAS 042—202X	SiC MOSFET高温栅偏试验方法	/	制定中
46	T/CASAS 043—202X	SiC MOSFET高温反偏试验方法	/	制定中
47	T/CASAS 044—202X	SiC MOSFET高温高湿反偏试验方法	/	制定中
48	T/CASAS 045—202X	SiC MOSFET动态栅偏试验方法	/	制定中
49	T/CASAS 046—202X	SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法	/	制定中
50	T/CASAS 047—202X	SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法	/	制定中
51	T/CASAS 048—202X	碳化硅单晶生长用等静压石墨	/	制定中