CASAS标准
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的“CASAS工作条例、CASAS标准文件制修订细则”制定。本平台公布团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
联盟标准列表
| 序号 | 联盟标准号 | 标准名称 | 文件 | 状态 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | T/CASAS 001—2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 2 | T/CASAS 002—2021 | 宽禁带半导体术语 | 点击查看 | 已发布 |
| 3 | T/CASAS 003—2018 | p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 | 点击查看 | 已发布 |
| 4 | T/CASAS 004.1—2018 | 4H-SiC衬底及外延层缺陷 术语 | 点击查看 | 已发布 |
| 5 | T/CASAS 004.2—2018 | 4H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱 | 点击查看 | 已发布 |
| 6 | T/CASAS 005—2022 | 用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 7 | T/CASAS 006—2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 8 | T/CASAS 007—2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 9 | T/CASAS 008—2019 | 地铁再生制动能量回收系统技术规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 10 | T/CASAS 009—2019 | 半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 11 | T/CASAS 010—2019 | GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 12 | T/CASAS 011.1—2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 13 | T/CASAS 011.2—2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 14 | T/CASAS 011.3—2021 | 车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 15 | T/CASAS 012—202X | 电动汽车用碳化硅（SiC）电机控制器评测规范 | / | 制定中 |
| 16 | T/CASAS 013—2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 点击查看 | 已发布 |
| 17 | T/CASAS 014—2021 | 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 | 点击查看 | 已发布 |
| 18 | T/CASAS 015—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 19 | T/CASAS 016—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 20 | T/CASAS 017—2021 | 第三代半导体微纳米金属烧结技术 术语 | 点击查看 | 已发布 |
| 21 | T/CASAS 018—2021 | 微纳米金属烧结件剪切强度测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 22 | T/CASAS 019—2021 | 微纳米金属烧结体电阻率试验方法 四探针法 | 点击查看 | 已发布 |
| 23 | T/CASAS 020—2021 | 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法 | 点击查看 | 已发布 |
| 24 | T/CASAS 021—2024 | SiC MOSFET阈值电压测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 25 | T/CASAS 022—2022 | 三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应管通用技术规范 | 点击查看 | 已发布 |
| 26 | T/CASAS 023—202X | 宽禁带半导体封装用烧结银膏 | 撤销 | 撤销 |
| 27 | T/CASAS 024—202X | 碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法 | / | 制定中 |
| 28 | T/CASAS 025—2023 | 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸 | 点击查看 | 已发布 |
| 29 | T/CASAS 026—2023 | 碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导衰减法 | 点击查看 | 已发布 |
| 30 | T/CASAS 027—2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 31 | T/CASAS 028—2023 | Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 32 | T/CASAS 029—2023 | Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 33 | T/CASAS 030—2023 | GaN毫米波前端芯片测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 34 | T/CASAS 031—2023 | 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 35 | T/CASAS 032—2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 点击查看 | 已发布 |
| 36 | T/CASAS 033—2024 | SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 37 | T/CASAS 034—2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 38 | T/CASAS 035—2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 39 | T/CASAS 036—2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 点击查看 | 已发布 |
| 40 | T/CASAS 037—2024 | SiC MOSFET栅极电荷测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 41 | T/CASAS 038—202X | SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法 | / | 制定中 |
| 42 | T/CASAS 039—202X | SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法 | / | 制定中 |
| 43 | T/CASAS 040—202X | SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法 | / | 制定中 |
| 44 | T/CASAS 041—202X | 基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法 | / | 制定中 |
| 45 | T/CASAS 042—2024 | SiC MOSFET高温栅偏试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 46 | T/CASAS 043—2024 | SiC MOSFET高温反偏试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 47 | T/CASAS 044—2024 | SiC MOSFET高温高湿反偏试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 48 | T/CASAS 045—2024 | SiC MOSFET动态栅偏试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 49 | T/CASAS 046—2024 | SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 50 | T/CASAS 047—2024 | SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 51 | T/CASAS 048—2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 点击查看 | 已发布 |
| 52 | T/CASAS 049—202X | 面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法 | / | 制定中 |
| 53 | T/CASAS 050—202X | 面向充电模组的SiC MOSFET动态高温工作寿命试验方法 | / | 制定中 |
| 54 | T/CASAS 051—202X | SiC MOSFET稳态高温工作寿命评价方法 | / | 制定中 |
| 55 | T/CASAS 052—2025 | 非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 56 | T/CASAS 053—2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 点击查看 | 已发布 |
| 57 | T/CASAS 054—2025 | 氮化铝抛光片吸收系数测试方法 | 点击查看 | 已发布 |
| 58 | T/CASAS 055—202X | 半导体材料紫外光电子能谱测试方法 | / | 制定中 |
| 59 | T/CASAS 056—202X | 半导体材料紫外光电子产额谱测试方法 | / | 制定中 |
| 60 | T/CASAS 057—202X | 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 | / | 制定中 |
| 61 | T/CASAS 058—202X | 面向光治疗的柔性LED光源拉伸弯曲可靠性试验方法 | / | 制定中 |
| 62 | T/CASAS 059—202X | 面向光治疗的柔性LED光源辐照度均匀性测试方法 | / | 制定中 |
| 63 | T/CASAS 060—202X | 功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片 | / | 制定中 |
| 64 | T/CASAS 061—202X | SiC MOSFET模块局部放电试验方法 | / | 制定中 |
| 65 | T/CASAS 062—202X | SiC MOSFET晶圆级老化及试验方法 | / | 制定中 |
| 66 | T/CASAS 063—202X | SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法 | / | 制定中 |
| 67 | T/CASAS 064—202X | SiC MOSFET器件寄生杂感与动态测试回路杂感测试方法 | / | 制定中 |
| 68 | T/CASAS 065—202X | SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法 | / | 制定中 |
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