• 基于SiC MOSFET的浪涌可靠性研究

    2022-04-27
    by casa
    参考文献:李焕,基于SiC MOSFET的浪涌可靠性研究【D】,浙江大学,2020 (转载请注明出处及作者) 浪涌测试及其意义 SiC器件虽然拥有诸多优势,但是由于SiC MOSFET栅氧工艺的局限性,其....
  • 基于SiC MOSFET的浪涌可靠性研究

    2022-04-27
    by casa
    参考文献:李焕,基于SiC MOSFET的浪涌可靠性研究【D】,浙江大学,2020 (转载请注明出处及作者) 浪涌测试及其意义 SiC器件虽然拥有诸多优势,但是由于SiC MOSFET栅氧工艺的局限性,其....
  • 高压碳化硅雪崩耐量测试

    2022-04-27
    by casa
    参考文献:徐晓筱,高压碳化硅雪崩耐量测试【D】,浙江大学,2021 (转载请注明出处及作者) SiC基功率MOSFET的制备技术日渐成熟,作为商业产品被应用于大功率的电力电子场合中,其....
  • SiC功率模块功率循环实验平台开发

    2022-04-27
    by casa
    朱士伟,SiC功率模块功率循环实验平台开发[D],山东大学,2021 (转载请注明出处及作者) 1 、功率循环及标准背景 功率模块在工作过程中会产生大量热量,这些热量绝大部分由基板下的散....
  • SiC功率模块功率循环实验平台开发

    2022-04-27
    by casa
    朱士伟,SiC功率模块功率循环实验平台开发[D],山东大学,2021 (转载请注明出处及作者) 1 、功率循环及标准背景 功率模块在工作过程中会产生大量热量,这些热量绝大部分由基板下的散....
  • Cascode 结构 GaN 基 HEMT 器件功率循环温度可靠性研究

    2022-03-24
    by casa
    参考文献:赵程,Cascode 结构 GaN 基 HEMT 器件功率循环温度可靠性研究【D】,大连理工大学,2020 近年来GaN材料器件越来越广泛的应用于电力电子技术与通讯电子技术领域,在电压转换、....
  • 多应力条件下GaN功率器件的可靠性测试及其退化机理研究

    2022-03-24
    by casa
    参考文献:李善杰,多应力条件下GaN功率器件的可靠性测试及其退化机理研究【D】,湘潭大学,2020 近年来,GaN基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)器件由于其高频高功....
  • 基于GaN器件的高效率电动汽车车载充电机技术研究

    2022-03-24
    by casa
    参考文献:邹颖,基于GaN器件的高效率电动汽车车载充电机技术研究【D】,辽宁工业大学,2019 电动汽车车载充电机随车携带,更便于电动汽车的能量补给,但是受到体积、重量及供电....
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