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Cascode 结构 GaN 基 HEMT 器件功率循环温度可靠性研究
2022-03-24by casa参考文献：赵程，Cascode 结构 GaN 基 HEMT 器件功率循环温度可靠性研究【D】，大连理工大学，2020 近年来GaN材料器件越来越广泛的应用于电力电子技术与通讯电子技术领域，在电压转换、.... -
多应力条件下GaN功率器件的可靠性测试及其退化机理研究
2022-03-24by casa参考文献：李善杰，多应力条件下GaN功率器件的可靠性测试及其退化机理研究【D】，湘潭大学，2020 近年来，GaN基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)器件由于其高频高功.... -
基于GaN器件的高效率电动汽车车载充电机技术研究
2022-03-24by casa参考文献：邹颖，基于GaN器件的高效率电动汽车车载充电机技术研究【D】，辽宁工业大学，2019 电动汽车车载充电机随车携带，更便于电动汽车的能量补给，但是受到体积、重量及供电.... -
增强型GaN功率器件动态电阻测试分析
2022-03-24by casa半导体器件是电力电子行业发展的重要推动力。作为第三代半导体器件的重要代表，氮化镓（GaN）功率器件凭借优异的材料性能，在高频、高效、高功率密度的电力电子变换领域（如数.... -
650V硅基GaN电力电子器件的可靠性研究
2022-03-08by casa参考文献： 李飞雨，650V硅基GaN电力电子器件的可靠性研究[D]，大连理工大学，2020 650 V应用等级的硅基GaN电力电子器件近年来发展迅速，有望广泛应用于消费类快速充电、无线通信等领....
