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碳化硅功率器件的性能分析与多芯片并联应用研究2
2022-07-05by casa参考文献：周伟成，碳化硅功率器件的性能分析与多芯片并联应用研究【D】，浙江大学，2019（转发请注明出处及作者） ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ功率模块 碳化硅器件具有高速、高.... -
碳化硅功率器件的性能分析与多芯片并联应用研究
2022-07-05by casa参考文献：周伟成，碳化硅功率器件的性能分析与多芯片并联应用研究【D】，浙江大学，2019（转发请注明出处及来源） 二极管是最基本的半导体器件，具有单向导电的特性。按照结的.... -
SiC MOSFET 阈值电压漂移特性的测试分析
2022-07-05by casa参考文献：池甜甜，SiC MOSFET 阈值电压漂移特性的测试分析【D】，大连理工大学，2021（转载请注明出处及作者） 碳化硅（SiC）MOSFET 器件凭借开关速度快、泄漏源电流低和功率密度高等.... -
基于SiC MOSFET的浪涌可靠性研究
2022-04-27by casa参考文献：李焕，基于SiC MOSFET的浪涌可靠性研究【D】，浙江大学，2020 （转载请注明出处及作者） 浪涌测试及其意义 SiC器件虽然拥有诸多优势，但是由于SiC MOSFET栅氧工艺的局限性，其.... -
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高压碳化硅雪崩耐量测试
2022-04-27by casa参考文献：徐晓筱，高压碳化硅雪崩耐量测试【D】，浙江大学，2021 （转载请注明出处及作者） SiC基功率MOSFET的制备技术日渐成熟，作为商业产品被应用于大功率的电力电子场合中，其.... -
SiC功率模块功率循环实验平台开发
2022-04-27by casa朱士伟，SiC功率模块功率循环实验平台开发[D]，山东大学，2021 (转载请注明出处及作者) 1 、功率循环及标准背景 功率模块在工作过程中会产生大量热量，这些热量绝大部分由基板下的散.... -
SiC功率模块功率循环实验平台开发
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