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标准发布 |《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》发布
2026-05-06by casa由山东大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0692026《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法.... -
标准发布/《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》发布
2026-05-06by casa由赛迈科先进材料股份有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0682026《碳化硅晶片制造用各向同.... -
标准 |天工大牵头提案的2项微纳金属烧结标准立项
2026-04-16by casa2026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由 天津工业大学 牵头提出的《半导体器件封装用烧结铜焊膏》、.... -
标准 | 《硅基氮化镓外延片射频损耗评估及测试方法》立项
2026-04-16by casa026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出的《硅基氮化镓外延.... -
标准|上海交大/南工大牵头《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》委员会草案形成
2026-04-16by casa2026年3月31日，由上海交通大学、南京工业大学联合牵头起草的标准T/CASAS 061202X《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员.... -
标准|忱芯科技牵头SiC MOSFET 有功对拖/回路杂感/AC-HTC 委员会草案形成
2026-04-16by casa2026年3月31日，由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 063202X《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》、.... -
标准|山大牵头《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》委员会草案形成
2026-04-16by casa2026年3月31日，由山东大学牵头起草的《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止.... -
标准 | 中电科二所牵头提案的《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》立
2026-04-16by casa026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第二研究所、 北京中电科电子装备有限公司等....
