2026年6月30日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由深圳平湖实验室牵头提出的《p-GaN HEMT功率器件短路测试方法》团体标准立项建议，详细信息如下：

秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。

深圳平湖实验室是国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台、广东省半导体与集成电路(化合物功率半导体)中试平台，由深圳市科技创新局举办成立。围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域，开展核心技术攻关。

已建成功能完善的现代化园区，位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，拥有业界领先的宽禁带功率半导体研发和生产基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套，100级洁净间面积9500平米。

实验室汇集海内外行业顶尖的研发人才和资深工程师，打造面向全国的开放、公共、共享的科研中心、中试中心以及分析检测中心。致力于突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，打通第三代半导体产业链，并在下一代半导体产出世界级创新成果，培养世界级人才，与合作伙伴组成生态系统，共同构建可持续发展的未来。