由忱芯科技（上海）有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 063—2026《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064—2026《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》、T/CASAS 065—2026《SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法》于2026年6月30日正式面向产业发布。

功率模块作为新能源主驱逆变器和光伏储能风电变流器最核心的功率部件，其电热特性以及可靠性直接影响逆变器系统的可靠性和性能。新能源主驱逆变器主要采用两电平SiC MOSFET功率模块，光伏储能风电变流器主要采用三电平SiC MOSFET功率模块。传统的电驱动测试台架虽然可以模拟实际电机工况，但是设备巨大，测试复杂；传统的双脉冲+短路+静态测试虽然能够完全表征器件的参数，但是无法模拟实际工况。

在功率半导体测试领域，SiC MOSFET功率模块的有功对拖测试可以进行以实际应用工况为导向的老化特性测试以及可靠性测试，验证SiC MOSFET功率模块在不同应用工况下的可靠性。SiC MOSFET功率模块的有功对拖测试可以实现功率因数从-1～+1的满电压满电流满功率全工况测试，模拟新能源主驱逆变器与光伏储能风电变流器的实际应用，提升SiC MOSFET功率模块可靠性。

T/CASAS 063—2026《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》描述了新能源主驱逆变器采用的两电平SiC MOSFET功率模块、光伏储能风电变流器采用的三电平SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用于Si IGBT模块的有功对拖输出测试、有功对拖输出测试。适用于Si IGBT、SiC MOSFET混合模块的有功对拖输出测试。适用于ANPC（主动中点箝位三电平）、INPC（改进型中点箝位三电平）、TNPC（T型中点箝位三电平）等拓扑电流的有功对拖输出测试。

【主要起草单位】

忱芯科技(上海)有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、广电计量检测集团股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、深圳平湖实验室、国网上海市电力公司电力科学研究院、西安交通大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

【主要起草人】

毛赛君、高俊、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、陈哲、周行星、杨奉涛、王来利、高伟。

相较于硅基IGBT，SiC MOSFET具有更快的开关速度，因而对杂散电感更为敏感，在开关过程中易引发开关振荡、电磁干扰、额外功率损耗及过高的电气应力等问题。为预估器件在实际工况中所承受的电气应力，并为工程应用提供可靠的测试依据，需对换流回路中的杂散电感进行准确提取。

传统硅基IGBT器件的动态回路杂感测试通常基于开通暂态波形，通过获取开通过程中的电流变化率（di/dt）来计算功率回路寄生电感。该方法操作简便快捷，但由于SiC MOSFET与硅IGBT在器件特性上存在显著差异——前者开通过程仅持续十纳秒级，且开通瞬态器件两端电压下降平台远不如IGBT明显——因此，沿用开通暂态波形法进行杂感测试，其精度已无法满足SiC MOSFET的应用需求。

相比之下，基于关断暂态波形的杂散电感测试方法，能够显著提高SiC MOSFET动态测试回路杂感测量的准确度。该测试方法不仅在器件级动态特性评估中具有关键价值，也为SiC MOSFET功率模块的设计、制造与应用提供了重要的工程参考。

T/CASAS 064—2026《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》描述了双脉冲测试条件下对应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。

本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。

【主要起草单位】

忱芯科技(上海)有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、广电计量检测集团股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、深圳平湖实验室、浙江大学绍兴研究院、国网上海市电力公司电力科学研究院、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司、是德科技（中国）有限公司、西安交通大学、杭州沃镭智能科技股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

【主要起草人】

毛赛君、严雪松、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、林氦、陈哲、周行星、任志军、孙承志、张彤宇、王来利、郭斌、闫晗、高伟。

SiC MOSFET器件作为新能源光伏储能风电变流器最核心的功率部件，其电热特性以及可靠性直接影响逆变器系统的可靠性和性能，此外，SiC MOSFET功率模块的有功对拖测试可以进行以实际应用工况为导向的老化特性测试以及可靠性测试，验证SiC MOSFET功率模块在不同应用工况下的可靠性。

当前可靠性试验仅模拟一种或者两种（交变或稳定）条件试验，不足以发现SiC器件在实际应用场景中全部失效问题。SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验通过引发冷凝，在边缘接区形成冷凝水层触发与户外应用高温高湿环境相关的失效模式。这些失效模式对于SiC器件长期应用可靠性有非常重要的意义。

T/CASAS 065—2026《SiC MOSFET 器件交流-湿度-温度循环试验方法》描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）交流-湿度-温度循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用于SiC MOSFET分立器件和不含集成驱动、保护电路的SiC MOSFET模块的交流-湿度-温度循环试验。

【主要起草单位】

忱芯科技(上海)有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、广电计量检测集团股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、深圳平湖实验室、国网上海市电力公司电力科学研究院、西安交通大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

【主要起草人】

毛赛君、严雪松、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、陈哲、周行星、杨奉涛、王来利、高伟。

所有联盟正式发布的标准文本，可登录联盟官方网站，免费下载。

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忱芯科技的SiC功率半导体测试系统产品包括：晶圆级动态WLR测试系统、芯片级KGD测试系统、双极退化测试系统、动态测试系统、静态测试系统、动态可靠性测试系统、连续功率测试系统等，全面覆盖功率半导体晶圆级测试、芯片级测试、单管/模块级测试和系统级测试，可满足实验室与生产线的多种场景需求。

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