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赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
2024-07-26by casa由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》、T/CASAS 048202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已完成征求意.... -
2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
2024-07-25by casa2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 35202X《用.... -
关于征集SiC MOSFET阈值电压测试比对参与单位的通知
2024-07-23by casa阈值电压是SiC MOSFET最关键的电学参数之一，其准确测量是SiC MOSFET器件栅氧界面可靠性评价的前提。7月19日，第三代半导体产业技术创新战略联盟正式发布T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压.... -
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
2024-07-21by casa2024年7月19日，T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。征求意见稿已经由秘书处邮件发.... -
CASAS SiC功率器件与模块工作组第二次会议成功召开
2024-07-15by casa2024年7月10日，CASA标准化委员会SiC功率器件与模块工作组第二次会议在上海成功召开，本次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会主办，复旦大学工程与应用技术研究.... -
聚焦SiC/GaN功率器件测试评估，半导体技术创新发展论坛在广州成功举办
2024-05-31by casa2024年5月25日，由第三代半导体产业技术创新联盟标准化委员会、广电计量检测集团股份有限公司主办，广东工业大学集成电路学院、是德科技((中国)有限公司协办的花城院士讲坛系列平.... -
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成
2024-04-02by casa由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头，联合工业与信息化部电子第五研究所、广东工业大学、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有.... -
关于团体标准T/CASAS 048《碳化硅单晶生长用等静压石墨》立项的通知
2024-03-07by casa各联盟成员单位： 由赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所联合提出的《碳化硅单晶生长用....
