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标准|山大牵头《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》委员会草案形成
2026-04-16by casa2026年3月31日，由山东大学牵头起草的《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止.... -
标准 | 中电科二所牵头提案的《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》立
2026-04-16by casa026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第二研究所、 北京中电科电子装备有限公司等.... -
标准 | 《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》立项
2026-04-16by casa2026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出的《SiC同质外延工艺.... -
标准 | 大连理工牵头提案的《氮化镓双向开关功率器件四象限动态导通电阻测试
2026-04-16by casa2026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由大连理工大学牵头提出的《氮化镓双向开关功率器件四象限动态.... -
标准|赛迈科牵头《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》委员会草案形成
2026-04-15by casa2026年3月31日，由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草.... -
标准 | 3项SiC MOSFET&2项材料相关标准形成征求意见稿
2026-01-09by casa由 忱芯科技（上海）有限公司 牵头起草的标准T/CASAS 063202X 《SiC MOSFET 功率模块有功对拖测试方法》 、T/CASAS 064202X 《应用于SiC MOSFET 功率器件动态测试回路杂感测试方法》 、T/CASAS 065.... -
标准 | 11项GaN/SiC功率器件标准修订版发布
2025-12-30by casa为推动联盟标准化工作紧随产业发展，保证标准技术内容的科学性、合理性，提高标准应用的适用性，联盟标准化委员会启动11项GaN/SiC功率器件标准的修订，并于2025年12月30日发布修订.... -
标准 | 11项GaN/SiC功率器件标准修订形成委员会草案
2025-12-11by casa2025年12月10日，T/CASAS 005202X《GaN HEMT动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法》 （代替T/CASAS 0052022） 以及T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》 （代替T/CASAS 0212024） 技术标准已形成委....
