资讯动态 - 正文
标准 | 《硅基氮化镓外延片射频损耗评估及测试方法》立项 2026-04-16 09:49
026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出的《硅基氮化镓外延片射频损耗评估及测试方法》团体标准立项建议，详细信息如下：
|
序号 |
科目 |
|
|
1 |
T/CASAS 076 硅基氮化镓外延片射频损耗评估及测试方法 |
|
|
牵头单位 |
中国电子科技集团第五十五研究所 |
|
|
联合单位 |
中国电子科技集团第五十五研究所、南京国博电子股份有限公司、西北工业大学、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京大学 |
|
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。
本文件描述了硅基氮化镓外延片射频损耗的测试方法。
本文件适用于硅基（4英寸、6英寸、8英寸）AlGaN/GaN外延材料，衬底晶向包括Si(111)、Si(110)、Si(100)，外延层包含AlN/AlGaN缓冲层、GaN沟道层、势垒层等。测试频率范围为10 MHz～40 GHz。
