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标准 | 《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》立项 2026-04-16 09:40
2026年4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出的《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》团体标准立项建议，详细信息如下：
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序号 |
科目 |
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1 |
T/CASAS 075 SiC同质外延工艺过程质量控制规范 |
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牵头单位 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
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联合单位 |
北京智慧能源研究院、瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司、杭州海乾半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司 |
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秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。
本文件规定了650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用外延材料工艺过程中的原材料准备、工艺生长、检验检测等。
本文件适用于650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用外延材料的生产、工艺过程质量控制、检验和交付依据。
