-
T/CASAS 027—20XX《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等7项标准立项通
2022-11-22by casa各位CASAS正式成员： 由中国科学院半导体研究所等单位提出的标准提案《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》；中国电子科技集团第十三研究所等单位提出的标准提案《Sub-6.... -
T/CASAS 026—20XX《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》等2项团体标准立项
2022-11-22by casa各CASAS正式成员： 由山东大学等单位提出的标准提案《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》和《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》，经CASAS管理委员.... -
深圳先进连接牵头起草的T/CASAS 023—202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范
2022-11-18by casa由深圳市先进连接科技有限公司牵头起草的T/CASAS 023202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范》已完成征求意见稿的编制，该项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改.... -
复旦大学牵头起草的T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术
2022-11-11by casa由复旦大学牵头起草的技术报告T/CASAS/TR 002202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，2022年11月10日起开始征求意.... -
东南大学牵头起草的T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术
2022-11-11by casa2022年11月10日，由东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告形成委员会草案，本文件主要起草单位有：东南大学、浙江大学、南方科技大学、西安电子科技大学.... -
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
2022-11-11by casa2022年11月10日，由深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准形成委员会草案，该项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修.... -
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
2022-11-11by casa由东南大学牵头起草的技术报告T/CASAS/TR 003202X《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》已完成征求意见稿的编制，技术报告征求意见稿按照CASAS技术报告制定程序，反复斟酌、修改、编制而.... -
关于T/CASA 011.1—2021《车规级半导体功率器件测试认证规范》等3项团体标准委员
2022-10-09by casa关于T/CASA 011.12021《车规级半导体功率器件测试认证规范》等3项团体标准委员会草案投票的通知 各有关单位： 团体标准T/CASA 011.12021《车规级半导体功率器件测试认证规范》、T/CASA 011....
