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T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸》等3项团体标准正式发布
2023-06-19by casa由山东大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0252023《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》、T/CASAS.... -
CASA发布《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》
2023-05-29by casa历时一年半，遵循CASAS技术报告制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见等流程，技术报告T/CASAS/TR 0022023 《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》于2023年5月2.... -
关于T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》等3项团体标准征求意见
2023-03-24by casa由山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）.... -
关于T/CASAS 027—202X《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》
2023-03-14by casa各CASA成员单位： 由中国科学院半导体研究所牵头起草的标准T/CASAS 027202X《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》、由中国电子科技集团第十三研究所牵头起草的标准.... -
T/CASAS 027—20XX《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等7项标准立项通
2022-11-22by casa各位CASAS正式成员： 由中国科学院半导体研究所等单位提出的标准提案《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》；中国电子科技集团第十三研究所等单位提出的标准提案《Sub-6.... -
T/CASAS 026—20XX《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》等2项团体标准立项
2022-11-22by casa各CASAS正式成员： 由山东大学等单位提出的标准提案《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》和《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》，经CASAS管理委员.... -
深圳先进连接牵头起草的T/CASAS 023—202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范
2022-11-18by casa由深圳市先进连接科技有限公司牵头起草的T/CASAS 023202X《宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范》已完成征求意见稿的编制，该项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改.... -
复旦大学牵头起草的T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术
2022-11-11by casa由复旦大学牵头起草的技术报告T/CASAS/TR 002202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，2022年11月10日起开始征求意....
