由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 063—202X《SiC MOSFET 功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064—202X《应用于SiC MOSFET 功率器件动态测试回路杂感测试方法》、T/CASAS 065—202X《SiC MOSFET 器件交流-湿度-温度循环试验方法》。

由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 068—202X《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》。

由山东大学牵头起草的标准T/CASAS 069—202X《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》。

上述5项技术标准已完成征求意见稿的编制，5项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成，起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据联盟标准化工作管理办法，2026年1月9日起开始征求意见，截止日期2026年2月8日。

T/CASAS 063—202X《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》描述了新能源主驱逆变器采用的两电平SiC MOSFET功率模块、光伏储能风电变流器采用的三电平SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用于Si IGBT模块的有功对拖输出测试、SiC MOSFET模块的有功对拖输出测试、Si IGBT、SiC MOSFET混合模块的有功对拖输出测试以及ANPC、INPC、TNPC等拓扑电流的有功对拖输出测试。

T/CASAS 064—202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》描述了双脉冲测试条件下对应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。

本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。

T/CASAS 065—202X《SiC MOSFET 器件交流-湿度-温度循环试验方法》描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）交流-湿度-温度循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

T/CASAS 068—202X《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》规定了碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。

本文件适用于纯度要求达到5 N 5（质量分数99.9995 %）以上的碳化硅单晶生长及外延用各向同性多孔石墨材料，以及用该材料制作的多孔石墨构件等。

T/CASAS 069—202X《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》描述了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。

本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。