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标准发布 |《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》发布 2026-05-06 14:09
由山东大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 069—2026《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》于2026年5月6日正式面向产业发布。
在半导体制造行业中，晶片上的激光刻字是关键的标识和追踪手段，用于标识晶片批次、型号及工艺参数。刻字深度直接影响标识的持久性、可读性以及晶片的结构完整性。过浅的刻字可能导致标识磨损失效，而过深的刻字则可能引入微裂纹或应力集中，损害晶片性能。因此，精确测量激光刻字深度是保证产品质量和可靠性的核心环节。
然而，现有测量方法各有局限，难以满足半导体晶片激光刻字深度测量的高精度、无损伤等要求。其中，扫描电子显微镜（SEM）虽能实现高分辨率成像，但属于破坏性测量，会直接损毁样品，无法用于量产晶片的在线检测，通常仅作为特定场景下的验证手段；其操作复杂，在深度测量方面精度有限，且真空环境对样品放置有严格要求，整体效率较低。台阶仪属于接触式测量，探针与晶片表面接触可能造成划伤，尤其对碳化硅、氮化镓等脆性半导体材料，易引发表面损伤或残余应力，且测量速度慢，不适用于批量检测。激光共聚焦显微镜虽为非接触式，但在纳米级深度测量时，受光学系统轴向分辨率限制，其精度通常不如白光干涉法，并且面对表面反光率差异较大的刻字区域时，测量稳定性也容易受影响。此外，现有测量方法缺乏统一标准，导致行业内测量结果参差不齐，影响了数据的可比性与质量控制的一致性。
T/CASAS 069—2026《半导体晶片激光刻字深度的测定 白光干涉法》描述了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。
【本文件主要起草单位】
山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东中晶芯源半导体科技有限公司、杭州海乾半导体有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
陈秀芳、徐现刚、张木青、孔令沂、李青璇、牛爽、赵轩伊、谢雪健、吴载炎、黄俊、高伟、徐瑞鹏。
新一代半导体材料研究院是教育部首批支持的战略科技创新平台，依托山东大学开展建设。研究院充分发挥学校在半导体材料研究领域的已有优势，通过整合校内微电子、物理、化学、材料、机械、控制、信息等优势学科力量，瞄准半导体材料技术未来发展方向，面向能源、信息、国防、轨道交通等领域的重大需求，重点开展碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、氮化铝等新一代宽禁带、超宽禁带半导体单晶材料及器件研究工作，旨在突破关键核心技术，支撑核心产业发展，推动我国新一代半导体、集成电路、信息技术的快速发展，满足国防安全和经济建设的重大需求。
山东大学将研究院建设列为“双一把手工程”，举全校之力、集全校之智予以重点推进。作为学术特区，学校为研究院在校内新建1.2万平方米研发中心大楼，配备各类先进仪器设备，给予稳定的经费与政策支持。构建起“一中心多基地”的发展格局，围绕产业链部署创新链，与华为等龙头企业建立深度合作关系；组建起一支包括教育部“长江学者”特聘教授、国家杰出青年基金获得者、中组部“万人计划”入选者等在内的高端研究团队。研究院作为晶体材料国家重点实验室的重要支撑，将以更加开放的姿态和国际化的视野，珍视机遇，不辱使命，力争成为我国新一代半导体材料及器件产业化技术策源地。
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