2018年11月20日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（简称“CASA“）发布三项联盟标准T/CASA 003-2018 《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》、T/CASA004.1 《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》、T/CASA004.2 《4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱》。三项标准由东莞市天域半导体科技有限公司技术总监孙国胜牵头，按照CASA标准制定程序（立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿），反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。

       标准主要起草单位包括：东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院。