2018年9月21日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“CASA“）发布了 联盟标准T/CASA 001-2018 《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》、技术报告T/CASA/TR 001-2018 《SiC器件在DC/DC充电模块应用技术报告》。两项联盟标准技术文件于2017年5月正式立项，起草时间历时1年3个月。 T/CASA 001-2018 《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》以GB/T 4023-2015《半导体器件分立器件和集成电路2部分:整流二极管》、IEC 60747-2:2016 Semiconductor devices – Part 2: Discrete devices – Rectifier diodes为主要参考，并根据碳化硅肖特基势垒二极管的特性，严格按照CASA标准制定程序（立项、草案、征求意见稿、委员会草案、发布稿），反复斟酌、修改、编制而成。本标准主要起草单位有中国科学院微电子研究所；全球能源互联网研究院有限公司；中国电子科技集团公司第五十五研究所；株洲中车时代电气股份有限公司；龙腾半导体有限公司。
T/CASA/TR 001-2018 《SiC器件在DC/DC充电模块应用技术报告》在初期立项时的定位为联盟标准，为了便于理解SiC技术应用，符合SiC市场的现状，形式由联盟标准更改为技术报告。本报告主要起草单位是西安特锐德智能充电科技有限公司，感谢三安光电股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、苏州晶品新材料股份有限公司、中兴通讯股份有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司、天津大学、北京世纪金光半导体有限公司、广东德豪润达电气股份有限公司、乐健科技（珠海）有限公司、浙江大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、香港应用科技研究院、全球能源互联网研究院等单位为本技术报告提出的宝贵建议和意见。
联盟标委会制定标准遵循严格的流程，通过管理委员会委员投票立项、全体成员单位征求意见、正式成员委员会投票等过程保证制定标准的科学性，标准的制定程序经过初步实践的检验，为后期联盟标准化工作的开展奠定了良好的基础。目前联盟已立项并进入流程管理的有：《宽禁带半导体术语标准》、《p-IGBT器件用4H碳化硅（4H-SiC）外延晶片》、《4H碳化硅（4H-SiC）晶体及外延层缺陷 术语》、《4H碳化硅（4H-SiC）晶体及外延层缺陷 图谱》、《GaN HEMT电力电子器件通用技术规范》、《SiC MOSFET通用技术规范》。
联盟标准工作得到了很多标委会委员、成员单位的关注和支持，CASA平台上目前已形成了一个第三代半导体产业标准化工作的核心团队，实践探索以科技研发提升技术标准水平、以技术标准促进科技成果转化为应用的模式，使得标准化工作更好的服务于技术创新和市场开拓。

T/CASA 001-2018 《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》

T/CASA/TR 001-2018 《SiC器件在DC/DC充电模块应用技术报告》