2019年11月25日，CASAS在深圳召开”CASA006 SiC MOS场效应晶体管测试方法”标准讨论会，来自中科院微电子所、全球能源互联网研究院有限公司、中兴通讯股份有限公司、中电科五十五所、深圳第三代半导体研究院、深圳基本半导体有限公司等单位的16位专家出席了本次讨论会，本次会议为该项标准起草过程中的第四次讨论会，行业密切相关的单位出席了讨论会，本次会议各位专家结合“产、学、研”数据以及IEC、JEDC、英飞凌等行业企业标准进行了充分的交流探讨，重点解决了上次讨论会梳理的疑难问题，同时对该项标准增加及调整的内容作出分工，为下一步征求意见稿的形成打下了坚实的基础， 最后中科院微电子所许恒宇研究员总结说：mos的失效机理有很多没研究明白的，还需要产业更多的投入和积累，也是未来的研究方向。