2022年5月30日，由东南大学等单位提交的《分立GaN功率器件动态电阻评估》联盟技术报告提案，经CASA标准化委员会（CASAS）秘书处初步形式审核，认为该技术报告的制定将衔接产业链上中下游，推动GaN功率器件的标准化工作进展，助力产业对GaN功率器件动态电阻的进一步全面认识，符合CASAS技术报告的立项条件，故审核通过，报CASAS管理委员会，分配编号T/CASA/TR 003。

得益于在快充领域的成功应用，氮化镓(GaN)功率半导体器件迎来了黄金发展时代。然而，GaN功率半导体器件发展历程较短，难免存在一些可靠性问题，阻碍了其推广应用。动态电阻就是GaN功率器件可靠性问题之一，也逐渐成为评估GaN功率器件好坏的必要考核指标。业界内各个GaN器件制造厂商、器件应用厂商均会对GaN器件的动态电阻进行考核。而学界对动态电阻的机理及影响因素有多种解释，动态电阻的测试方法、测试电路种类较多。目前，各个厂家对于动态电阻测试的侧重点也各不相同，测试的片面性造成器件供应商的测试结果无法满足器件工程师要求的情况；器件工程师缺乏对动态电阻机理及影响因素的理解，在进行动态电阻考核时缺乏全面的判断评估，造成系统性的风险。器件制造商和应用工程师对动态电阻的不全面理解造成GaN器件在系统中的可靠性问题不能得到及时解决，阻碍了GaN器件的推广应用及产业的快速发展。

本技术报告包含以下内容：a造成动态电阻的机理解释汇总；b造成动态电阻的影响因素汇总；c动态电阻测试电路汇总。通过本报告，器件制造商和器件应用工程师可对动态电阻的机理及测试有更加深入的了解，从而帮助其解决动态电阻引起的系统可靠性问题。

“智能功率集成芯片与系统”创新团队来自东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，团队负责人为东南大学首席教授孙伟锋教授，团队由教师9名，博士后2名、博士生及硕士生若干名组成。团队专注于功率半导体技术研究，主要包括：功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、功率半导体器件模型开发、高压电路设计、相关功率可靠性研究、功率开关电源、开关磁阻电机驱动器，此外在工业控制等综合应用系统方面也进行了相关产品的研发工作。团队研究成果获国家技术发明二等奖、教育部技术发明一等奖、江苏省科学技术进步一等奖等省部级奖项，发表IEEE期刊论文，ISPSD和ISSCC会议论文等共计200余篇，获国内外发明专利100多项。

本技术报告的编写邀请了包括但不限于东南大学、英诺赛科（珠海）科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、安世半导体科技（上海）有限公司、无锡芯朋微电子股份有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、南方科技大学等单位共同参加，诚邀产业内可靠性相关专家共同开展这项起草工作，为产业发展共同献智献力。