2026年8月18日，由中国电子科技集团公司第十三研究所起草的T/CASAS 050《面向充电模组的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）器件动态高温工作寿命试验方法》、T/CASAS 051《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)稳态高温工作寿命评价方法》；
由深圳青铜剑科技股份有限公司牵头起草的技术标准T/CASAS 071《氢燃料电池车用碳化硅DC/DC变换器性能测试方法》；
由上海临港车规半导体研究院有限公司牵头起草的技术标准T/CASAS 072《半导体功率器件/模块高浓度硫化氢试验方法》；
由中国电子科技集团公司第二研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 073《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》
由北京华峰测控技术股份有限公司牵头起草的《SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法》；
由西安交通大学牵头起草的标准T/CASAS 055—202X《半导体材料紫外光电子能谱测试方法》、T/CASAS 056—202X《半导体材料紫外光电子产额谱测试方法》；
上述8项技术标准已完成委员会草案的编制，根据CASAS相关管理办法，现面向CASAS正式成员发起委员会草案投票，截止时间2026年8月31日，请联盟标委会正式成员关注秘书处邮件。