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CASA立项“半导体材料紫外光电子能谱测试方法”等2项团体标准
2024-11-29by casa2024年11月25日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项氮化铝晶片方面的团体标准立项建议，详细信息如下： 秘书.... -
CASA立项“氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法”等2项氮化铝团体标
2024-11-29by casa2024年11月25日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项氮化铝晶片方面的团体标准立项建议，详细信息如下： 秘书.... -
CASA立项“面向工业应用的GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法”1项团体标
2024-11-29by casa2024年11月25日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项GaN 功率器件测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下：.... -
9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
2024-11-29by casa2024年11月19日，在第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称联盟）正式发布9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准。这一系列标准的.... -
碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
2024-10-29by casa2024年10月28日，T/CASAS 036202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》、T/CASAS 048202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》等2项技术标准已形成委员会草案（CD），2项标.... -
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案
2024-10-15by casa2024年10月14日，T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已形成委员会草案（CD），9项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成。起草组.... -
CASA立项SiC MOSFET动态/稳态高温工作寿命试验方法2项团体标准
2024-08-08by casa2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项SiC MOSFET测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下： 秘书处.... -
CASA立项GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
2024-08-08by casa2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项GaN HEMT测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下： 秘书处....
