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碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
2024-10-29by casa2024年10月28日，T/CASAS 036202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》、T/CASAS 048202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》等2项技术标准已形成委员会草案（CD），2项标.... -
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案
2024-10-15by casa2024年10月14日，T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已形成委员会草案（CD），9项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成。起草组.... -
CASA立项SiC MOSFET动态/稳态高温工作寿命试验方法2项团体标准
2024-08-08by casa2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项SiC MOSFET测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下： 秘书处.... -
CASA立项GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
2024-08-08by casa2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项GaN HEMT测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下： 秘书处.... -
赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
2024-07-26by casa由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》、T/CASAS 048202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已完成征求意.... -
2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
2024-07-25by casa2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 35202X《用.... -
关于征集SiC MOSFET阈值电压测试比对参与单位的通知
2024-07-23by casa阈值电压是SiC MOSFET最关键的电学参数之一，其准确测量是SiC MOSFET器件栅氧界面可靠性评价的前提。7月19日，第三代半导体产业技术创新战略联盟正式发布T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压.... -
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
2024-07-21by casa2024年7月19日，T/CASAS 021202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。征求意见稿已经由秘书处邮件发....
