CASAS标准
联盟标准列表
如有疑问请与项目办联系:010-82385580
序号 联盟标准号 标准名称 文件 状态
 1   T/CASAS 001—2018  碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 点击查看 已发布
2  T/CASAS 002—2021  宽禁带半导体术语 点击查看 已发布
3  T/CASAS 003—2018  p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 点击查看 已发布
4  T/CASAS 004.1—2018  4H-SiC衬底及外延层缺陷 术语 点击查看 已发布
5  T/CASAS 004.2—2018  4H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱 点击查看 已发布
6  T/CASAS 005—2022  用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法 点击查看 已发布
7  T/CASAS 006—2020  碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 点击查看 已发布
8  T/CASAS 007—2020  电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块评测规范 点击查看 已发布
9  T/CASAS 008—2019  地铁再生制动能量回收系统技术规范 点击查看 已发布
10  T/CASAS 009—2019  半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 点击查看 已发布
11  T/CASAS 010—2019  GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 点击查看 已发布
12  T/CASAS 011.1—2021  车规级半导体功率器件测试认证规范 点击查看 已发布
13  T/CASAS 011.2—2021  车规级半导体功率模块测试认证规范 点击查看 已发布
14  T/CASAS 011.3—2021  车规级智能功率模块(IPM)测试认证规范 点击查看 已发布
15  T/CASAS 012—202X  电动汽车用碳化硅(SiC)电机控制器评测规范 / 制定中
16  T/CASAS 013—2021  碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 点击查看 已发布
17  T/CASAS 014—2021  碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 点击查看 已发布
18  T/CASAS 015—2022  碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法 点击查看 已发布
19  T/CASAS 016—2022  碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法 点击查看 已发布
20  T/CASAS 017—2021  第三代半导体微纳米金属烧结技术 术语 点击查看 已发布
21  T/CASAS 018—2021  微纳米金属烧结件剪切强度测试方法 点击查看 已发布
22  T/CASAS 019—2021  微纳米金属烧结体电阻率试验方法 四探针法 点击查看 已发布
23  T/CASAS 020—2021  微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法 点击查看 已发布
24  T/CASAS 021—2024  SiC MOSFET阈值电压测试方法 点击查看 已发布
25  T/CASAS 022—2022  三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应管通用技术规范 点击查看 已发布
26  T/CASAS 023—202X  宽禁带半导体封装用烧结银膏 撤销 撤销
27  T/CASAS 024—202X  碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法 / 制定中
28  T/CASAS 025—2023  8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸 点击查看 已发布
29  T/CASAS 026—2023  碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导衰减法 点击查看 已发布
30  T/CASAS 027—2023  射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 点击查看 已发布
31  T/CASAS 028—2023  Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法 点击查看 已发布
32  T/CASAS 029—2023  Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法 点击查看 已发布
33  T/CASAS 030—2023  GaN毫米波前端芯片测试方法 点击查看 已发布
34  T/CASAS 031—2023  面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法 点击查看 已发布
35  T/CASAS 032—2023  碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 点击查看 已发布
36  T/CASAS 033—2024  SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法 点击查看 已发布
37  T/CASAS 034—2024  用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 点击查看 已发布
38  T/CASAS 035—2024  用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 点击查看 已发布
39  T/CASAS 036—202X  碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测试方法 / 制定中
40  T/CASAS 037—2024  SiC MOSFET栅极电荷测试方法 点击查看 已发布
41  T/CASAS 038—202X  SiC MOSFET非钳位电感开关(UIS)测试方法 / 制定中
42  T/CASAS 039—202X  SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法 / 制定中
43  T/CASAS 040—202X   SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法 / 制定中
44  T/CASAS 041—202X   基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法 / 制定中
45  T/CASAS 042—2024  SiC MOSFET高温栅偏试验方法 点击查看 已发布
46  T/CASAS 043—2024  SiC MOSFET高温反偏试验方法 点击查看 已发布
47  T/CASAS 044—2024   SiC MOSFET高温高湿反偏试验方法 点击查看 已发布
48  T/CASAS 045—2024   SiC MOSFET动态栅偏试验方法 点击查看 已发布
49  T/CASAS 046—2024   SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法 点击查看 已发布
50  T/CASAS 047—2024   SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法 点击查看 已发布
51  T/CASAS 048—202X   碳化硅单晶生长用等静压石墨 / 制定中
52  T/CASAS 049—202X  面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法 / 制定中
53  T/CASAS 050—202X  面向充电模组的SiC MOSFET动态高温工作寿命试验方法 / 制定中
54  T/CASAS 051—202X  SiC MOSFET稳态高温工作寿命评价方法 / 制定中
55  T/CASAS 052—202X  GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法 / 制定中
         

地址:北京市海淀区清华东路甲35号五号楼五层 邮编:100083

邮箱:casa@casa-china.cn 传真:010-82388580

京ICP备17057344号-3

微信公众号